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    PECVD开启式管式炉系统
    关 键 词:PECVD系统,真空镀膜、纳米薄膜材料制备
    PECVD开启式管式炉系统在真空压力下,加在电感线圈的射频电场,使反应室气体发生辉光放电,在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,其本身温度很高,它与气体分子相碰撞,使气体分子活化。它们吸附在衬底上,并发生化学反应生成介质膜,副产物从衬底上解吸,随主气流由真空泵抽走,称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)。
    型       号:PECVD-1200
    品       牌:钜晶
    发货周期:1-5个工作日
    接受订制:可按要求定制
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    在真空压力下,加在电感线圈的射频电场,使反应室气体发生辉光放电,在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,其本身温度很高,它与气体分子相碰撞,使气体分子活化。它们吸附在衬底上,并发生化学反应生成介质膜,副产物从衬底上解吸,随主气流由真空泵抽走,称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)。

    PECVD开启式管式炉系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成,是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的理想选择。

    主要功能和特点:

    1、PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等;

    2、PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;

    3、借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;

    4、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成,最高真空可达0.001Pa;

    5、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计,流量显示仪等组成,实现气体的流量的精密测量和控制;

    6、每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全性和连续均匀性;

    7、采用KF快速法兰密封,装卸方便快捷;

    8、管路采用世界顶级Swagelok卡套连接,不漏气;

    9、超温、过压时,自动切断加热电源及流量计进气,使用安全可靠。

    主要用途:

    高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备,生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

    技术参数:

    SKGL-1200

    开启式管式炉

    控温方式

    采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制30段升降温程序。

    加热元件

    0Cr27Al7Mo2

    工作电源

    AC220V 50Hz/60Hz

    额定功率

    4kw

    炉管材质

    高纯石英管

    炉管尺寸

    Φ60/Φ80*1200mm

    工作温度

    1150

    最高温度

    1200

    恒温精度

    ±1

    恒温区

    200mm

    升温速度

    10/min

    密封方式

    不锈钢快速法兰挤压密封

    ZK-F

    分子泵真空系统

    真空范围

    0.1-0.001Pa

    极限真空

    4.0*10^-4Pa

    产品配置

    双级旋片真空泵+分子泵

    测量方式

    复合真空计

    真空规管

    电阻规+电离规

    冷却方式

    风冷

    工作电源

    AC220V 50/60HZ

    抽速

    110L/S

    射频电源系统

    射频功率输出范围

    5~500W

    射频频率

    13.56MHz±0.005%

    噪声

    55DB

    冷却方式

    风冷

    功率温定度

    ± 0.1%

    HQZ-

    混气系统

    流量规格

    0200sccm (可根据客户需要配置)

    线性

    ±1.5%F.S

    准确度

    ±1.5%F.S

    重复精度

    ±0.2%F.S.

    响应时间

    8sec

    耐压

    3MPa

    气路通道

    4通道(根据客户需求)

    针阀

    316不锈钢

    管道

    Φ6mm不锈钢管

    接口

    SwagelokΦ6mm


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